中商情報網(wǎng)訊：IGBT是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導通壓降優(yōu)勢。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動和人工智能浪潮下，市場對能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升，進而推動市場對各類半導體功率器件需求持續(xù)增加，IGBT等半導體功率器件將成為國民經(jīng)濟發(fā)展中不可或缺的電子元器件。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年全球及中國IGBT市場調(diào)查與行業(yè)前景預測專題研究報告》顯示，2024年中國IGBT市場規(guī)模達到223.3億元，較上年增長10.7%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預測，2025年中國IGBT市場規(guī)模將達到244.9億元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
全球IGBT市場由英飛凌（德國）、三菱電機（日本）、富士電機（日本）、安森美（美國）、賽米控丹佛斯（歐洲）等企業(yè)主導。其中，英飛凌以約30%的全球市場份額穩(wěn)居首位。本土企業(yè)中，斯達半導市場占比最大，為15%。其次是比亞迪半導體、中車時代、華潤微、士蘭微、揚杰科技、捷捷微電，分別占比12%、9%、3%、1%、1%、1%。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
更多資料請參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國IGBT市場調(diào)研及投資戰(zhàn)略咨詢報告》，同時中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報、行業(yè)研究報告、行業(yè)白皮書、行業(yè)地位證明、可行性研究報告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜、產(chǎn)業(yè)招商指引、產(chǎn)業(yè)鏈招商考察&推介會、“十五五”規(guī)劃等咨詢服務。
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