中商情報(bào)網(wǎng)訊:IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗與BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體(P+/N-/P-body/N+)和MOS柵極構(gòu)成,形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年全球及中國(guó)IGBT市場(chǎng)調(diào)查與行業(yè)前景預(yù)測(cè)專題研究報(bào)告》顯示,2024年全球IGBT的市場(chǎng)規(guī)模約為75億美元,較上年增長(zhǎng)5.6%。受益于新能源汽車、風(fēng)光儲(chǔ)、工業(yè)控制等領(lǐng)域需求的爆發(fā)式增長(zhǎng),中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測(cè),2025年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到80億美元。
數(shù)據(jù)來(lái)源:Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)和人工智能浪潮下,市場(chǎng)對(duì)能源轉(zhuǎn)換效率、設(shè)備智能化水平的要求持續(xù)提升,進(jìn)而推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)各類半導(dǎo)體功率器件需求持續(xù)增加,IGBT等半導(dǎo)體功率器件將成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中不可或缺的電子元器件。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年全球及中國(guó)IGBT市場(chǎng)調(diào)查與行業(yè)前景預(yù)測(cè)專題研究報(bào)告》顯示,2024年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到223.3億元,較上年增長(zhǎng)10.7%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測(cè),2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到244.9億元。
數(shù)據(jù)來(lái)源:中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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