中商情報(bào)網(wǎng)訊：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗與BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)。其核心結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體（P+/N-/P-body/N+）和MOS柵極構(gòu)成，形成類似“MOS柵控雙極晶體管”的復(fù)合結(jié)構(gòu)。IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
近年來(lái)，中國(guó)IGBT行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)I(lǐng)GBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《新產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)航工程實(shí)施方案（2023─2035年）》《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場(chǎng)前景，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)環(huán)境。
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