三、中游分析
1.刻蝕工藝
刻蝕工藝指的是用化學和物理方法，在經(jīng)顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料。刻蝕工藝的方法有兩大類，濕法蝕刻和干法蝕刻。具體如下圖所示：
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
由于光刻機在20nm以下光刻步驟受到光波長度的限制，因此無法直接進行光刻與刻蝕步驟，而是通過多次光刻、刻蝕生產(chǎn)出符合人們要求的更微小的結(jié)構(gòu)。目前普遍采用多重模板工藝原理，即通過多次沉積、刻蝕等工藝，實現(xiàn)10nm線寬的制程。根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達到64次，較28nm提升60%；7nm制程所需刻蝕步驟更是高達140次，較14nm提升118%，工藝升級持續(xù)推動刻蝕機用量提升。
數(shù)據(jù)來源：SEMI、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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