2025年中國(guó)刻蝕機(jī)重點(diǎn)企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力排名

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中商情報(bào)網(wǎng)訊：當(dāng)前行業(yè)呈現(xiàn)“雙軌演進(jìn)、梯次突破”特征：頭部企業(yè)依托全棧技術(shù)整合與先進(jìn)制程量產(chǎn)能力主導(dǎo)高端市場(chǎng)；中游企業(yè)聚焦成熟制程國(guó)產(chǎn)化替代及特色工藝優(yōu)化（如第三代半導(dǎo)體/軍工），以成本控制與定制化服務(wù)構(gòu)建壁壘；新興勢(shì)力則通過(guò)垂直領(lǐng)域創(chuàng)新（如納米壓印/耗材部件）切入增量市場(chǎng)。核心挑戰(zhàn)在于突破極紫外（EUV）配套空白與高端零部件對(duì)外依賴(lài)，未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)將加速向AI驅(qū)動(dòng)工藝控制及全球化認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)（ISO/車(chē)規(guī)級(jí)）維度升級(jí)。

2025年中國(guó)刻蝕機(jī)重點(diǎn)企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力排名

排名 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
1 北方華創(chuàng) 全產(chǎn)業(yè)鏈布局覆蓋刻蝕/沉積/清洗設(shè)備，ICP刻蝕累計(jì)出貨超3200腔，14nm電容耦合等離子刻蝕機(jī)量產(chǎn)，5nm設(shè)備進(jìn)入中芯國(guó)際驗(yàn)證，綁定長(zhǎng)江存儲(chǔ)生態(tài)鏈
2 中微公司 5nm等離子刻蝕機(jī)全球第一梯隊(duì)，2025上半年刻蝕設(shè)備收入37.81億元（同比增40.12%），先進(jìn)邏輯/存儲(chǔ)器件關(guān)鍵工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，研發(fā)投入占比營(yíng)收30.07%
3 盛美上海 單片清洗設(shè)備技術(shù)全球領(lǐng)先，Tahoe技術(shù)降低28nm以下制程耗材成本30%，銅互連電鍍?cè)O(shè)備打破壟斷，配套中芯國(guó)際先進(jìn)產(chǎn)線
4 屹唐半導(dǎo)體 干法去膠設(shè)備市占率全球第一，高速干法刻蝕技術(shù)適配3D NAND堆疊，晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)訂單年增50%
5 拓荊科技 混合鍵合設(shè)備填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)空白，PECVD設(shè)備12英寸產(chǎn)線覆蓋率80%，3D NAND堆疊層數(shù)突破500層，28nm制程設(shè)備批量交付
6 中電科 軍工級(jí)刻蝕設(shè)備自主可控，耐輻射設(shè)計(jì)適配航天芯片，特種工藝設(shè)備覆蓋雷達(dá)/衛(wèi)星領(lǐng)域，軍品訂單占比超60%
7 創(chuàng)世威納 納米壓印光刻-刻蝕一體化設(shè)備突破10nm線寬，紫外固化技術(shù)降低光刻膠依賴(lài)，泛半導(dǎo)體領(lǐng)域定制化方案成熟
8 芯源微 前道涂膠顯影設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率第一，雙工架構(gòu)設(shè)計(jì)提升產(chǎn)能30%，28nm工藝驗(yàn)證完成，軍工領(lǐng)域訂單占比25%
9 吉佳藍(lán)（中國(guó)） 韓國(guó)技術(shù)本土化標(biāo)桿，ICP干法刻蝕設(shè)備全球出貨量前五，無(wú)錫基地投產(chǎn)3個(gè)月訂單破千萬(wàn)，射頻電源系統(tǒng)能效比行業(yè)領(lǐng)先
10 至純科技 濕法刻蝕設(shè)備良率99.99%，14nm以下顆?？刂七_(dá)國(guó)際水平，高純工藝系統(tǒng)服務(wù)中芯國(guó)際/華虹，光伏與半導(dǎo)體雙賽道協(xié)同
11 金盛微納 MEMS傳感器刻蝕專(zhuān)精，深硅刻蝕縱橫比達(dá)50:1，物聯(lián)網(wǎng)芯片定制化開(kāi)發(fā)響應(yīng)速度行業(yè)第一
12 世源科技 第三代半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備突破，碳化硅刻蝕速率提升至1μm/min，良品率98%，新能源汽車(chē)功率模塊量產(chǎn)配套
13 華海清科 CMP設(shè)備壟斷國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，拋光精度0.1納米級(jí)，刻蝕-CMP協(xié)同工藝降低晶圓損傷率，導(dǎo)入三星西安工廠產(chǎn)線
14 中科飛測(cè) AI驅(qū)動(dòng)缺陷檢測(cè)設(shè)備覆蓋2Xnm工藝，刻蝕過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)降低晶圓報(bào)廢率15%，綁定中芯國(guó)際7nm驗(yàn)證
15 凱世通 離子注入機(jī)-刻蝕協(xié)同方案，低能大束流技術(shù)突破28nm節(jié)點(diǎn)，并購(gòu)Compart Systems強(qiáng)化氣體控制系統(tǒng)
16 赫菲斯半導(dǎo)體 射頻電源核心部件國(guó)產(chǎn)替代，13.56MHz高頻源穩(wěn)定性達(dá)99.8%，適配北方華創(chuàng)/中微刻蝕機(jī)，維修成本降低40%
17 晉成半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備耗材專(zhuān)精，硅電極壽命突破1000小時(shí)，陶瓷部件純度99.999%，替代進(jìn)口份額超30%
18 微導(dǎo)納米 原子層刻蝕（ALE）設(shè)備精度達(dá)原子級(jí)，TOPCon電池刻蝕設(shè)備訂單超20億元，光伏-半導(dǎo)體工藝復(fù)用降本顯著
19 沈陽(yáng)拓荊 PECVD-刻蝕復(fù)合設(shè)備降低線寬誤差，柔性顯示面板刻蝕良率99.5%，OLED產(chǎn)線覆蓋率居國(guó)內(nèi)前三
20 中科院微電子所 產(chǎn)學(xué)研轉(zhuǎn)化核心平臺(tái)，EUV光源刻蝕原型機(jī)通過(guò)驗(yàn)收，超分辨掩模技術(shù)突破7nm限制，專(zhuān)利授權(quán)覆蓋等離子體控制算法

資料來(lái)源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

更多資料請(qǐng)參考中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2025-2030年中國(guó)刻蝕機(jī)行業(yè)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》，同時(shí)中商產(chǎn)業(yè)研究院還提供產(chǎn)業(yè)大數(shù)據(jù)、產(chǎn)業(yè)情報(bào)、行業(yè)研究報(bào)告、行業(yè)白皮書(shū)、行業(yè)地位證明、可行性研究報(bào)告、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜、產(chǎn)業(yè)招商指引、產(chǎn)業(yè)鏈招商考察&推介會(huì)、“十五五”規(guī)劃等咨詢服務(wù)。