中商情報網(wǎng)訊：碳化硅是第三代寬禁帶半導體材料，具有高禁帶寬度（3.2eV）、高熱導率、高擊穿場強和耐高溫高壓等特性。碳化硅憑借其耐高壓、高頻、高效特性，正逐步替代傳統(tǒng)半導體材料，成為新能源、5G通信和航空航天等領域的關鍵材料。隨著技術突破和成本下降，碳化硅產業(yè)將迎來高質量發(fā)展階段，助力全球能源轉型與產業(yè)升級。
一、產業(yè)鏈
碳化硅目前是晶體生長技術及器件制造方面最成熟的寬禁帶半導體材料，碳化硅從材料到器件的制造過程會經歷單晶生長、晶錠切片、外延生長、晶圓設計、制造、封裝等工藝流程。碳化硅產業(yè)鏈上游為襯底和外延；中游為器件和模塊制造環(huán)節(jié)，包括SiC二極管、SiCMOSFET、全SiC模塊、SiC混合模塊等；下游應用于5G通信、國防應用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天、新能源汽車、光伏產業(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域。
資料來源：中商產業(yè)研究院整理
二、上游分析
1.碳化硅器件成本占比
在碳化硅器件的制造成本結構中，襯底成本通常占據(jù)最大比例，占比可達47%，其次是外延成本，占比約23%，這兩大工序是碳化硅器件的重要組成部分，它們的制備難度非常大，技術以及成本也非常高。此外，前段和研發(fā)費用也是成本結構中的重要部分，分別占比19%和6%左右。
數(shù)據(jù)來源：中商產業(yè)研究院整理
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