2022-2027年中國氮化鎵(GaN) 市場深度分析及發(fā)展前景預(yù)測研究分析報(bào)告
第一章 氮化鎵相關(guān)概述
第二章 2019-2021年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
2.1 半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1 第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2 第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3 第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2 2019-2021年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1 市場銷售規(guī)模
2.2.2 區(qū)域分布狀況
2.2.3 細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
2.2.4 市場并購動(dòng)態(tài)
2.2.5 市場發(fā)展預(yù)測
2.3 2019-2021年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1 應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.2 產(chǎn)業(yè)支持政策
2.3.3 市場銷售規(guī)模
2.3.4 細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
2.3.5 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
2.3.6 國產(chǎn)替代進(jìn)程
2.4 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對策
2.4.1 行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2 產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3 供應(yīng)鏈不完善
2.4.4 行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5 行業(yè)發(fā)展思路
2.5 半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1 行業(yè)發(fā)展趨勢
2.5.2 行業(yè)需求分析
2.5.3 行業(yè)前景分析
第三章 2019-2021年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
3.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1 產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3 產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4 國產(chǎn)化將加速
3.2 2019-2021年氮化鎵市場發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1 氮化鎵市場發(fā)展現(xiàn)狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵市場產(chǎn)值規(guī)模
3.2.4 氮化鎵市場產(chǎn)能分析
3.2.5 氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
3.2.6 氮化鎵器件發(fā)展瓶頸
3.3 氮化鎵技術(shù)專利申請狀況
3.3.1 全球氮化鎵技術(shù)來源國分布
3.3.2 全球氮化鎵技術(shù)專利申請量
3.3.3 全球氮化鎵專利申請人分布
3.3.4 中國氮化鎵專利申請區(qū)域分布
第四章 2019-2021年氮化鎵企業(yè)競爭情況分析
4.1 2019-2021年全球氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.1.1 全球氮化鎵市場區(qū)域競爭
4.1.2 全球氮化鎵企業(yè)競爭格局
4.1.3 全球氮化鎵企業(yè)市場份額
4.1.4 全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5 全球氮化鎵企業(yè)上市動(dòng)態(tài)
4.1.6 全球氮化鎵企業(yè)中國布局
4.2 2019-2021年中國氮化鎵企業(yè)競爭分析
4.2.1 國內(nèi)氮化鎵競爭態(tài)勢
4.2.2 國內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)
4.2.3 國內(nèi)氮化鎵企業(yè)產(chǎn)線
4.2.4 國內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3 快充市場氮化鎵主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.3.1 氮化鎵芯片上游
4.3.2 氮化鎵制造工廠
4.3.3 氮化鎵品牌廠商
4.4 GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1 GaN電力電子器件
4.4.2 GaN光電子器件
第五章 2019-2021年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析
5.1 發(fā)光二極管（LED）
5.1.1 發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2 發(fā)光二極管（LED）市場發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3 發(fā)光二極管（LED）進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.1.4 氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5 氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2 場效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1 場效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
5.2.3 GaN FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4 GaN FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
5.3 激光二極管（LD）
5.3.1 激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2 激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3 激光器進(jìn)出口市場數(shù)據(jù)分析
5.3.4 GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5 GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6 GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7 GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4 二極管（Diodes）
5.4.1 二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2 二極管進(jìn)出口市場數(shù)據(jù)分析
5.4.3 氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
5.5 射頻器件（RF）
5.5.1 射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2 GaN射頻器件市場發(fā)展?fàn)顩r
5.5.3 GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4 GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6 太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1 2019-2021年中國太陽能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5 InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)展展望
第六章 2019-2021年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析
6.1 氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1 電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2 GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
6.1.3 GaN電力電子器件分布情況
6.1.4 GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5 GaN組件商品化帶來的機(jī)遇
6.1.6 電力電子器件市場未來發(fā)展方向
6.2 氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1 新能源行業(yè)相關(guān)政策支持
6.2.2 新能源行業(yè)整體發(fā)展形勢
6.2.3 新能源發(fā)電建設(shè)和運(yùn)行情況
6.2.4 GaN大功率器件需求潛力
6.3 氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1 發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
6.3.2 智能電力設(shè)備發(fā)展分析
6.3.3 智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
6.3.4 GaN大功率器件需求潛力
6.4 氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1 通訊設(shè)備市場需求分析
6.4.2 通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
6.4.3 GaN大功率器件需求潛力
6.5 氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1 GaN在4C產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.5.2 GaN在無線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.3 GaN在紫外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4 GaN在紅外探測領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.5 GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.6 GaN在生物化學(xué)探測領(lǐng)域的應(yīng)用
第七章 2019-2021年國際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
7.1.3 2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.4 2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.1.5 2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2 科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2 企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3 2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.4 2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.2.5 2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3 雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
7.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2 企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.3.3 2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.4 2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.3.5 2021年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2 企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布
7.4.3 項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
7.4.4 2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.5 2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.4.6 2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2 企業(yè)產(chǎn)品動(dòng)態(tài)
7.5.3 2019財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.4 2020財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
7.5.5 2021財(cái)年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
第八章 2018-2021年中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析
8.1 蘇州納維科技有限公司
8.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2 企業(yè)主營業(yè)務(wù)
8.1.3 企業(yè)發(fā)展成就
8.2 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2 企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3 企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
8.3 東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2 企業(yè)人才隊(duì)伍
8.3.3 企業(yè)獲得榮譽(yù)
8.3.4 公司專利技術(shù)
8.3.5 企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4 三安光電股份有限公司
8.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2 經(jīng)營效益分析
8.4.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.4.4 財(cái)務(wù)狀況分析
8.4.5 核心競爭力分析
8.4.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.4.7 未來前景展望
8.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2 經(jīng)營效益分析
8.5.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.5.4 財(cái)務(wù)狀況分析
8.5.5 核心競爭力分析
8.5.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.5.7 未來前景展望
8.6 四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2 經(jīng)營效益分析
8.6.3 業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
8.6.4 財(cái)務(wù)狀況分析
8.6.5 核心競爭力分析
8.6.6 公司發(fā)展戰(zhàn)略
8.6.7 未來前景展望
第九章 2022-2027年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測
9.1 氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1 產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
9.1.2 企業(yè)并購動(dòng)態(tài)
9.1.3 投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
9.1.4 區(qū)域投資分布
9.2 氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2 市場應(yīng)用潛力
9.2.3 市場發(fā)展機(jī)遇
9.3 2022-2027年中國氮化鎵市場預(yù)測分析
圖表目錄
圖表1 半導(dǎo)體發(fā)展歷程
圖表2 硅、砷化鎵、氮化鎵主要電學(xué)性質(zhì)參數(shù)比較
圖表3 半導(dǎo)體材料性能比較
圖表4 砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體的作用
圖表5 纖鋅礦結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)特性
圖表6 三代半導(dǎo)體材料常溫下部分性質(zhì)
圖表7 半導(dǎo)體材料的主要應(yīng)用
圖表8 2019-2020年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模及情況
圖表9 2019-2020年全球半導(dǎo)體材料區(qū)域市場變化
圖表10 2021年全球半導(dǎo)體材料市場區(qū)域分布預(yù)測情況
圖表11 半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用于晶圓制造與封測環(huán)節(jié)
圖表12 2012-2020年中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模
圖表13 2017-2019年中國半導(dǎo)體材料細(xì)分市場結(jié)構(gòu)
圖表14 2016-2019年國內(nèi)企業(yè)半導(dǎo)體制造材料國產(chǎn)化率
圖表15 GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)及主要企業(yè)
圖表16 GaN外延用不同襯底的對比
圖表17 GaN器件主要產(chǎn)品與工藝技術(shù)
圖表18 GaN器件發(fā)展史
圖表19 氮化鎵行業(yè)政策發(fā)展歷程
圖表20 國家層面氮化鎵行業(yè)政策匯總
圖表21 地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（一）
圖表22 地方層面氮化鎵行業(yè)政策匯總（二）
圖表23 31省市氮化鎵行業(yè)發(fā)展目標(biāo)匯總
圖表24 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要
圖表25 GaN器件適用于功率器件市場
圖表26 部分快充與無線充廠商產(chǎn)品布局統(tǒng)計(jì)表
圖表27 2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)值
圖表28 2016-2020年中國GaN微波射頻產(chǎn)值
圖表29 截至2020年底中國氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)
圖表30 截至2021年全球氮化鎵行業(yè)技術(shù)來源國分布情況
圖表31 2010-2021年全球氮化鎵行業(yè)技術(shù)來源國專利申請量
圖表32 2010-2021年全球氮化鎵專利申請人集中度——CR10
圖表33 2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人趨勢
圖表34 截止2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人
圖表35 2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請數(shù)量TOP10申請人技術(shù)分布情況
圖表36 截至2021年全球氮化鎵行業(yè)市場價(jià)值最高TOP10專利的申請人
圖表37 2021年全球氮化鎵行業(yè)專利申請新進(jìn)入者情況
圖表38 截止2021年中國當(dāng)前申請?。ㄊ?、自治區(qū)）氮化鎵專利數(shù)量TOP10
圖表39 2010-2021年中國氮化鎵行業(yè)專利地區(qū)申請趨勢
圖表40 2019年全球氮化鎵市場份額（按地區(qū)）
圖表41 氮化鎵功率器件市場集中度
圖表42 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈境內(nèi)外主要廠商
圖表43 截至2020年底中國GaN晶圓制造產(chǎn)線匯總
圖表44 快充市場熱門氮化鎵芯片品牌
圖表45 氮化鎵快充GaN控制芯片匯總
?本報(bào)告所有內(nèi)容受法律保護(hù)，中華人民共和國涉外調(diào)查許可證：國統(tǒng)涉外證字第1454號(hào)。
本報(bào)告由中商產(chǎn)業(yè)研究院出品，報(bào)告版權(quán)歸中商產(chǎn)業(yè)研究院所有。本報(bào)告是中商產(chǎn)業(yè)研究院的研究與統(tǒng)計(jì)成果，報(bào)告為有償提供給購買報(bào)告的客戶內(nèi)部使用。未獲得中商產(chǎn)業(yè)研究院書面授權(quán)，任何網(wǎng)站或媒體不得轉(zhuǎn)載或引用，否則中商產(chǎn)業(yè)研究院有權(quán)依法追究其法律責(zé)任。如需訂閱研究報(bào)告，請直接聯(lián)系本網(wǎng)站，以便獲得全程優(yōu)質(zhì)完善服務(wù)。
本報(bào)告目錄與內(nèi)容系中商產(chǎn)業(yè)研究院原創(chuàng)，未經(jīng)本公司事先書面許可，拒絕任何方式復(fù)制、轉(zhuǎn)載。
在此，我們誠意向您推薦鑒別咨詢公司實(shí)力的主要方法。
中商官網(wǎng)
數(shù)據(jù)庫
前沿報(bào)告庫
立即購買
專家咨詢
下載訂購表
word下載
按需定制
簡繁轉(zhuǎn)換
在線咨詢
