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1.1　第三代半導體基本介紹
1.2　第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.3　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點

2.1　全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　市場結(jié)構(gòu)分析
2.1.5　新品研發(fā)情況
2.1.6　研發(fā)項目規(guī)劃
2.1.7　應用領域格局
2.1.8　企業(yè)發(fā)展動態(tài)
2.1.9　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.10　企業(yè)競爭格局
2.2　美國
2.2.1　研發(fā)支出規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術優(yōu)勢
2.2.3　技術創(chuàng)新中心
2.2.4　技術研發(fā)動向
2.2.5　戰(zhàn)略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　研究成果豐碩
2.3.3　封裝技術聯(lián)盟
2.3.4　照明領域狀況
2.3.5　研究領先進展
2.4　歐盟
2.4.1　研發(fā)項目歷程
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點

3.1　政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　重點支持政策解讀
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)運行情況
3.2.3　經(jīng)濟結(jié)構(gòu)升級
3.2.4　未來經(jīng)濟展望
3.3　社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利技術構(gòu)成
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　國際技術成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術聯(lián)盟

4.1　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　企業(yè)以IDM模式為主
4.1.2　制備工藝不追求頂尖
4.1.3　襯底和外延是關鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　軍事用途導致技術禁運
4.2　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值
4.2.3　產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)模
4.2.4　產(chǎn)業(yè)標準規(guī)范
4.2.5　國產(chǎn)替代狀況
4.3　中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細分市場結(jié)構(gòu)
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
4.3.6　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4　中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術專利發(fā)展
5.1.6　技術發(fā)展趨勢
5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場發(fā)展規(guī)模
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　器件產(chǎn)品研發(fā)
5.4　GaN器件應用領域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　器件應用發(fā)展狀況
5.4.4　應用實現(xiàn)條件與對策
5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術發(fā)展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術專利
6.1.5　技術發(fā)展趨勢
6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　材料價格走勢
6.2.2　材料市場規(guī)模
6.2.3　材料技術水平
6.2.4　市場應用結(jié)構(gòu)
6.2.5　市場競爭格局
6.2.6　企業(yè)研發(fā)布局
6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品研發(fā)
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發(fā)展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網(wǎng)應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用

7.1?、笞宓锇雽w材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應用發(fā)展狀況
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料制備工藝
7.3.3　主要技術發(fā)展
7.3.4　器件應用發(fā)展
7.3.5　未來發(fā)展趨勢
7.4　金剛石半導體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　襯底制備工藝
7.4.3　主要器件產(chǎn)品
7.4.4　應用發(fā)展狀況
7.4.5　器件研發(fā)進展
7.4.6　未來發(fā)展前景

8.1　第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應用領域發(fā)展概況
8.1.1　下游應用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2　電子電力領域發(fā)展狀況
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應用分布
8.2.4　國內(nèi)應用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價格走勢
8.3　微波射頻領域發(fā)展狀況
8.3.1　射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　射頻器件價格走勢
8.3.5　國防基站應用規(guī)模
8.4　半導體照明領域發(fā)展狀況
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈條產(chǎn)值
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　照明技術突破
8.4.6　照明發(fā)展方向
8.4.7　行業(yè)發(fā)展展望
8.5　半導體激光器發(fā)展狀況
8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　未來發(fā)展趨勢
8.6　5G新基建領域發(fā)展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規(guī)模
8.6.3　賦能射頻產(chǎn)業(yè)
8.6.4　應用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7　新能源汽車領域發(fā)展狀況
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　應用市場規(guī)模
8.7.4　企業(yè)布局情況
8.7.5　市場需求預測

9.1　第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　重點區(qū)域建設
9.2　京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)項目動態(tài)
9.2.4　應用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3　中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　四川產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.3.2　重慶相關領域態(tài)勢
9.3.3　陜西產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4　珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.4.4　東莞基地發(fā)展建設
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5　華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聚集
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)布局動態(tài)
9.5.4　福建產(chǎn)業(yè)發(fā)展狀況
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6　第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入

10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關業(yè)務布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務經(jīng)營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3　華潤微電子有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務經(jīng)營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　2018年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.7.3　2019年企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.7.4　2020年企業(yè)經(jīng)營狀況分析

11.1　行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資項目分布
11.1.3　投資市場周期
11.1.4　行業(yè)投資前景
11.2　行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資案例
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3　行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4　行業(yè)投資風險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業(yè)競爭風險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險
11.5　行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　投資價值分析
11.6.3　建設內(nèi)容規(guī)劃
11.6.4　資金需求測算
11.6.5　實施進度安排
11.6.6　經(jīng)濟效益分析

12.1　第三代半導體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　第三代半導體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3　 中國第三代半導體行業(yè)預測分析
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表1　不同半導體材料性能比較（一）
圖表2　不同半導體材料性能比較（二）
圖表3　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表4　半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表5　第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表6　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表7　第三代半導體襯底制備流程
圖表8　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表9　第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表10　全球第三代半導體材料市場規(guī)模與增長
圖表11　2018年全球第三代半導體材料市場結(jié)構(gòu)
圖表12　全球在售SiC、GaN器件及模塊產(chǎn)品數(shù)量（款）
圖表13　2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（一）
圖表14　2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（二）
圖表15　2018年各國/組織第三代半導體領域研發(fā)項目（三）
圖表16　全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)格局
圖表17　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表18　美國下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表19　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表20　日本下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表21　歐洲LAST POWER產(chǎn)學研項目成員
圖表22　“十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（一）
圖表23　“十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總（二）
圖表24　2018年地方政府第三代半導體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（一）
圖表25　2018年地方政府第三代半導體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（二）
圖表26　2019年地方政府第三代半導體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（一）
圖表27　2019年地方政府第三代半導體產(chǎn)業(yè)支持政策匯總（二）
圖表28　《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2019版）》中第三代半導體相關內(nèi)容
圖表29　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導體相關內(nèi)容
圖表30　2019年中國GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表31　國內(nèi)生產(chǎn)總值及增速
圖表32　三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表33　2020年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表34　2019年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表35　全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表36　2020年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表37　普通本?？啤⒅械嚷殬I(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表38　2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表39　研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費支出及其增長速度
圖表40　2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表41　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術合作與轉(zhuǎn)化
圖表42　2019年第三代半導體領域全球?qū)＠夹g構(gòu)成
圖表43　2018年度國家重點研發(fā)計劃重點專項
圖表44　2019年正在實施的第三代半導體國家重點研發(fā)計劃重點專項
圖表45　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表46　第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表47　全球推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)和技術發(fā)展的國家計劃
圖表48　《中國制造2025》第三代半導體相關發(fā)展目標
圖表49　中方收購國外半導體企業(yè)情況
圖表50　中國GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值及增速
圖表51　中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值及增速
圖表52　2019年中國主要企業(yè)SiC、GaN產(chǎn)能
圖表53　第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準列表
圖表54　中國第三代半導體襯底材料市場規(guī)模與增長
圖表55　2019年中國第三代半導體襯底材料市場結(jié)構(gòu)
圖表56　2019年中國SiC、GaN電力電子器件市場應用領域分布
圖表57　襯底研發(fā)重點企業(yè)盤點
圖表58　國內(nèi)部分涉及第三代半導體上市公司的產(chǎn)業(yè)布局情況（一）