一、項目建設背景
碳化硅因其寬帶隙技術脫穎而出，是目前發(fā)展最成熟的半導體材料。與傳統(tǒng)硅基器件相比，碳化硅的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機等高壓應用。此外，碳化硅可用于制造LED，在汽車尤其是電動汽車車載充電裝置領域發(fā)展空間巨大。
中車株洲所的IGBT模塊成功進入智能電網領域，中車株洲所啟動技改項目，計劃建設年產50萬只中低壓IGBT模塊封裝線，主要用于電動汽車領域，為發(fā)展SiC材料應用產業(yè)提供了很好的基礎。
二、項目前期工作
已完成前期調研工作。
三、項目建設內容及規(guī)模
項目建設用地約500畝，計劃用 3 年時間，建成碳化硅材料產業(yè)基地和三代半導體技術創(chuàng)新中心。
四、項目總投資
項目擬投資25億元。
五、項目效益分析
預計項目達產年投資利潤率可達20%。
六、項目合作方式
獨資。
七、招商聯(lián)系電話：18610884067（微信號相同）
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